7789-17-5/碘化銫單晶薄片的生長方法

背景及概述^[1]

碘化銫簡稱CsI。包括CsI(Tl)在內的無機鹵化物被廣泛應用作為高能粒子和電離輻射探測器的閃爍介質。真空沉積的CsI(Tl)薄膜第一次是被用于光電轉換器里面的x射線成像。在過去的十幾年里，數字X射線成像系統發展使用耦合在CCD或者非晶硅探測器陣列中的真空沉積CsI(Tl)層。在先進的數字X射線成像中CsI(Tl)閃爍器薄膜因為對X射線輻射的高閃爍效率，高的空間分辨率和對光譜敏感性的硅基讀出陣列良好的匹配，被廣泛的應用于X射線成像。大面積和不同厚度CsI(Tl)閃爍器屏幕已經被應用在一些X射線成像技術中，例如無損的評估，高速的X射線成像照相機，大分子結晶學和數字乳房X射線照相術。

單晶薄片的生長方法^[1]

一種基于溶液的碘化銫單晶薄片的生長方法，包括如下步驟：

a.以二甲基亞砜為溶劑，將20ml的二甲基亞砜加入到平底燒瓶中，再加入10.4g純度為99.9％的碘化銫晶體粉末，將平底燒瓶放在磁力攪拌機上攪拌，控制轉速為500r/min，進行攪拌12小時，使碘化銫晶體粉末在二甲基亞砜中完全溶解,直至飽和并直至溶液澄清透明；在碘化銫晶體粉末充分溶解后，用孔徑為2.2微米的濾嘴過濾，得到飽和的長晶的碘化銫溶液，備用；

b.將在所述步驟a中制備的飽和的長晶的碘化銫溶液取出兩部分，分別取出0.6ml到半徑為2cm棕色小瓶子A和9ml到半徑為4cm玻璃瓶B中；再將裝載第一部分碘化銫溶液的棕色小瓶子A放置在加熱臺上進行油浴加熱，控制油浴溫度為41℃，生長時間為24小時，生長出長和寬分別為1mm、厚度為0.2mm的碘化銫籽晶薄片；

c.取出在所述步驟b中制備的上述碘化銫籽晶薄片，放入一個具有夾層空隙的玻璃裝置模具中，玻璃裝置模具為上下兩側分別為長為3cm、寬為1.5cm和厚度為1mm的玻璃片，作為型腔的上下兩側壁面，在兩個玻璃片中間設置長為1.5cm、寬為2cm和厚為0.5mm的支撐物，使兩個玻璃片之間形成夾層空隙厚度尺寸為0.5mm的側面開放式型腔；再將裝填碘化銫籽晶薄片的玻璃裝置模具放入裝載第二部分碘化銫溶液的B瓶中進行油浴加熱，控制油浴溫度為70℃，生長時間為4天，在玻璃裝置模具的型腔中，生長出長和寬分別為5mm，厚度為0.5mm的碘化銫單晶晶薄片，然后對玻璃裝置模具進行開模，取出碘化銫單晶薄片，對碘化銫單晶薄片進行拋光，再用乙醇擦洗干凈，即獲得碘化銫單晶薄片成品。

參考文獻

[1][中國發明]CN201810568142.6基于溶液的碘化銫單晶薄片的生長方法